Hauni Protos Nano Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns لآلات كريتيك

Hauni Protos Nano Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns لآلات كريتيك

ترانزستور السيليكون

تم تطوير أول ترانزستور سليكوني عامل في Bell Labs في 26 يناير 1954 بواسطة موريس تانينباوم.أنتجت شركة Texas Instruments أول ترانزستور تجاري من السيليكون في عام 1954. وكان هذا من عمل جوردون تيل ، وهو خبير في زراعة البلورات عالية النقاء ، والذي عمل سابقًا في مختبرات بيل.

ترانزستور عالي التردد

كان أول ترانزستور عالي التردد هو ترانزستور الجرمانيوم ذو الحاجز السطحي الذي طوره Philco في عام 1953 ، وهو قادر على العمل حتى 60 ميجا هرتز.تم تصنيعها عن طريق حفر المنخفضات في قاعدة الجرمانيوم من النوع n من كلا الجانبين مع نفاثات من كبريتات الإنديوم (III) حتى وصل سمكها إلى بضعة أجزاء من عشرة آلاف من البوصة.شكل الإنديوم المطلي بالكهرباء في المنخفضات المجمع والباعث.

ترانزستور نقطة الاتصال

في عام 1948 ، اخترع الفيزيائيان الألمانيان هربرت ماتاري وهاينريش ويلكر ترانزستور نقطة الاتصال بشكل مستقل أثناء العمل في Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse ، وهي شركة تابعة لشركة Westinghouse تقع في باريس.كان لمطاري خبرة سابقة في تطوير مقومات الكريستال من السيليكون والجرمانيوم في جهد الرادار الألماني خلال الحرب العالمية الثانية.باستخدام هذه المعرفة ، بدأ البحث عن ظاهرة "التدخل" في عام 1947.