Sasib 3000 Nano ترانزستور منخفض الحجم عبر الفتحات لآلات السجائر

Sasib 3000 Nano ترانزستور منخفض الحجم عبر الفتحات لآلات السجائر

عملية مبسطة

يمكن أن يستخدم الترانزستور إشارة صغيرة مطبقة بين زوج واحد من أطرافه للتحكم في إشارة أكبر بكثير عند زوج آخر من المحطات.هذه الخاصية تسمى كسب.يمكن أن ينتج إشارة خرج أقوى ، جهد أو تيار ، يتناسب مع إشارة دخل أضعف ، وبالتالي ، يمكن أن يعمل كمضخم.بدلاً من ذلك ، يمكن استخدام الترانزستور لتشغيل أو إيقاف تشغيل التيار في دائرة كمفتاح يتم التحكم فيه كهربائيًا.

CMOS

تم اختراع CMOS (MOS التكميلي) بواسطة Chih-Tang Sah و Frank Wanlass في Fairchild Semiconductor في عام 1963. تم تقديم أول تقرير عن MOSFET ذي البوابة العائمة بواسطة Dawon Kahng و Simon Sze في عام 1967. تم عرض MOSFET مزدوج البوابة لأول مرة في 1984 من قبل الباحثين في المختبرات الكهروتقنية توشيهيرو سيكيجاوا ويوتاكا هاياشي

ترانزستور السيليكون

تم تطوير أول ترانزستور سليكوني عامل في Bell Labs في 26 يناير 1954 بواسطة موريس تانينباوم.أنتجت شركة Texas Instruments أول ترانزستور تجاري من السيليكون في عام 1954. وكان هذا من عمل جوردون تيل ، وهو خبير في زراعة البلورات عالية النقاء ، والذي عمل سابقًا في مختبرات بيل.

الترانزستور هو جهاز أشباه الموصلات يستخدم لتضخيم أو تبديل الإشارات الإلكترونية والطاقة الكهربائية.الترانزستورات هي إحدى اللبنات الأساسية للإلكترونيات الحديثة.وهي تتألف من مادة شبه موصلة عادة مع ثلاثة أطراف على الأقل لتوصيلها بدائرة خارجية.