|
|
| الاسم التجاري: | Upperbond |
| رقم الطراز: | صانع |
| الـ MOQ: | 2 قطعة |
| السعر: | قابل للتفاوض |
| وقت التسليم: | 5-8 أيام |
| شروط الدفع: | T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام ، باي بال |
Hauni Protos Nano Kretek ماكينة الجزء الإلكتروني Irfz44nl
الترانزستور هو جهاز شبه موصل يستخدم لتضخيم أو تبديل الإشارات الإلكترونية والطاقة الكهربائية.الترانزستورات هي إحدى اللبنات الأساسية للإلكترونيات الحديثة.وهي تتألف من مادة شبه موصلة عادة مع ثلاثة أطراف على الأقل لتوصيلها بدائرة خارجية.
1. تصنيفات وخصائص استنزاف المصدر
| معامل | النوع- | الأعلى. | |
| يكون | تيار المصدر المستمر (ديود الجسم) | - | 49 |
| ISM | تيار المصدر النبضي (صمام ثنائي للجسم) ① | - | 160 |
| VsD | الصمام الثنائي للجهد الأمامي | - | 1.3 |
| trr | وقت الاسترداد العكسي | 63 | 95 |
| ريال قطري | رسوم الاسترداد العكسي | 170 | 260 |
2. الترانزستورات تقاطع القطبين
اخترع ويليام شوكلي من مختبرات بيل أول ترانزستورات تقاطع ثنائي القطب ، والتي تقدمت بطلب للحصول على براءة اختراع (2569347) في 26 يونيو 1948. في 12 أبريل 1950 ، نجح الكيميائيون في مختبرات بيل جوردون تيل ومورجان سباركس في إنتاج تقاطع ثنائي القطب يعمل بتضخيم NPN. الترانزستور الجرمانيوم.
3. الترانزستور عالي التردد
كان أول ترانزستور عالي التردد هو ترانزستور الجرمانيوم ذو الحاجز السطحي الذي طوره Philco في عام 1953 ، وهو قادر على العمل حتى 60 ميجا هرتز.تم تصنيعها عن طريق حفر المنخفضات في قاعدة الجرمانيوم من النوع n من كلا الجانبين مع نفاثات من كبريتات الإنديوم (III) حتى وصل سمكها إلى بضعة أجزاء من عشرة آلاف من البوصة.شكل الإنديوم المطلي بالكهرباء في المنخفضات المجمع والباعث.
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
|
| الاسم التجاري: | Upperbond |
| رقم الطراز: | صانع |
| الـ MOQ: | 2 قطعة |
| السعر: | قابل للتفاوض |
| تفاصيل التعبئة: | كرتون |
| شروط الدفع: | T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام ، باي بال |
Hauni Protos Nano Kretek ماكينة الجزء الإلكتروني Irfz44nl
الترانزستور هو جهاز شبه موصل يستخدم لتضخيم أو تبديل الإشارات الإلكترونية والطاقة الكهربائية.الترانزستورات هي إحدى اللبنات الأساسية للإلكترونيات الحديثة.وهي تتألف من مادة شبه موصلة عادة مع ثلاثة أطراف على الأقل لتوصيلها بدائرة خارجية.
1. تصنيفات وخصائص استنزاف المصدر
| معامل | النوع- | الأعلى. | |
| يكون | تيار المصدر المستمر (ديود الجسم) | - | 49 |
| ISM | تيار المصدر النبضي (صمام ثنائي للجسم) ① | - | 160 |
| VsD | الصمام الثنائي للجهد الأمامي | - | 1.3 |
| trr | وقت الاسترداد العكسي | 63 | 95 |
| ريال قطري | رسوم الاسترداد العكسي | 170 | 260 |
2. الترانزستورات تقاطع القطبين
اخترع ويليام شوكلي من مختبرات بيل أول ترانزستورات تقاطع ثنائي القطب ، والتي تقدمت بطلب للحصول على براءة اختراع (2569347) في 26 يونيو 1948. في 12 أبريل 1950 ، نجح الكيميائيون في مختبرات بيل جوردون تيل ومورجان سباركس في إنتاج تقاطع ثنائي القطب يعمل بتضخيم NPN. الترانزستور الجرمانيوم.
3. الترانزستور عالي التردد
كان أول ترانزستور عالي التردد هو ترانزستور الجرمانيوم ذو الحاجز السطحي الذي طوره Philco في عام 1953 ، وهو قادر على العمل حتى 60 ميجا هرتز.تم تصنيعها عن طريق حفر المنخفضات في قاعدة الجرمانيوم من النوع n من كلا الجانبين مع نفاثات من كبريتات الإنديوم (III) حتى وصل سمكها إلى بضعة أجزاء من عشرة آلاف من البوصة.شكل الإنديوم المطلي بالكهرباء في المنخفضات المجمع والباعث.
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
