|
|
| الاسم التجاري: | Upperbond |
| رقم الطراز: | صانع |
| الـ MOQ: | 2 قطعة |
| السعر: | قابل للتفاوض |
| وقت التسليم: | 5-8 أيام |
| شروط الدفع: | T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام ، باي بال |
قطع غيار آلة السجائر نموذج Irfz44ns الكهربائية التبعي Passim
الترانزستور هو جهاز شبه موصل يستخدم لتضخيم أو تبديل الإشارات الإلكترونية والطاقة الكهربائية.الترانزستورات هي إحدى اللبنات الأساسية للإلكترونيات الحديثة.وهي تتألف من مادة شبه موصلة عادة مع ثلاثة أطراف على الأقل لتوصيلها بدائرة خارجية.
ترانزستور عالي التردد
كان أول ترانزستور عالي التردد هو ترانزستور الجرمانيوم ذو الحاجز السطحي الذي طوره Philco في عام 1953 ، وهو قادر على العمل حتى 60 ميجا هرتز.تم تصنيعها عن طريق حفر المنخفضات في قاعدة الجرمانيوم من النوع n من كلا الجانبين مع نفاثات من كبريتات الإنديوم (III) حتى وصل سمكها إلى بضعة أجزاء من عشرة آلاف من البوصة.شكل الإنديوم المطلي بالكهرباء في المنخفضات المجمع والباعث.
موسفيت
اخترع محمد عطا الله وداون كانج ترانزستور التأثير الميداني لأكسيد المعادن وأشباه الموصلات (MOSFET) ، والمعروف أيضًا باسم ترانزستور MOS في عام 1959. كان MOSFET أول ترانزستور مدمج حقًا يمكن تصغيره وإنتاجه بكميات كبيرة من أجل مجموعة واسعة من الاستخدامات.بفضل قابلية التوسع العالية ، واستهلاك الطاقة الأقل بكثير والكثافة الأعلى من ترانزستورات الوصلة ثنائية القطب ، جعلت MOSFET من الممكن بناء دوائر متكاملة عالية الكثافة ، مما يسمح بدمج أكثر من 10000 ترانزستور في دائرة متكاملة واحدة.
انخفاض الجهد
تمثل الصورة ترانزستورًا ثنائي القطب نموذجيًا في الدائرة.سوف تتدفق الشحنة بين طرفي الباعث والمجمع اعتمادًا على التيار في القاعدة.نظرًا لأن الوصلات القاعدية والباعث تتصرف داخليًا مثل الصمام الثنائي لأشباه الموصلات ، فإن انخفاض الجهد ينشأ بين القاعدة والباعث أثناء وجود التيار الأساسي.يعتمد مقدار هذا الجهد على المادة التي يتكون منها الترانزستور ويشار إليه باسم VBE.
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
|
| الاسم التجاري: | Upperbond |
| رقم الطراز: | صانع |
| الـ MOQ: | 2 قطعة |
| السعر: | قابل للتفاوض |
| تفاصيل التعبئة: | كرتون |
| شروط الدفع: | T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام ، باي بال |
قطع غيار آلة السجائر نموذج Irfz44ns الكهربائية التبعي Passim
الترانزستور هو جهاز شبه موصل يستخدم لتضخيم أو تبديل الإشارات الإلكترونية والطاقة الكهربائية.الترانزستورات هي إحدى اللبنات الأساسية للإلكترونيات الحديثة.وهي تتألف من مادة شبه موصلة عادة مع ثلاثة أطراف على الأقل لتوصيلها بدائرة خارجية.
ترانزستور عالي التردد
كان أول ترانزستور عالي التردد هو ترانزستور الجرمانيوم ذو الحاجز السطحي الذي طوره Philco في عام 1953 ، وهو قادر على العمل حتى 60 ميجا هرتز.تم تصنيعها عن طريق حفر المنخفضات في قاعدة الجرمانيوم من النوع n من كلا الجانبين مع نفاثات من كبريتات الإنديوم (III) حتى وصل سمكها إلى بضعة أجزاء من عشرة آلاف من البوصة.شكل الإنديوم المطلي بالكهرباء في المنخفضات المجمع والباعث.
موسفيت
اخترع محمد عطا الله وداون كانج ترانزستور التأثير الميداني لأكسيد المعادن وأشباه الموصلات (MOSFET) ، والمعروف أيضًا باسم ترانزستور MOS في عام 1959. كان MOSFET أول ترانزستور مدمج حقًا يمكن تصغيره وإنتاجه بكميات كبيرة من أجل مجموعة واسعة من الاستخدامات.بفضل قابلية التوسع العالية ، واستهلاك الطاقة الأقل بكثير والكثافة الأعلى من ترانزستورات الوصلة ثنائية القطب ، جعلت MOSFET من الممكن بناء دوائر متكاملة عالية الكثافة ، مما يسمح بدمج أكثر من 10000 ترانزستور في دائرة متكاملة واحدة.
انخفاض الجهد
تمثل الصورة ترانزستورًا ثنائي القطب نموذجيًا في الدائرة.سوف تتدفق الشحنة بين طرفي الباعث والمجمع اعتمادًا على التيار في القاعدة.نظرًا لأن الوصلات القاعدية والباعث تتصرف داخليًا مثل الصمام الثنائي لأشباه الموصلات ، فإن انخفاض الجهد ينشأ بين القاعدة والباعث أثناء وجود التيار الأساسي.يعتمد مقدار هذا الجهد على المادة التي يتكون منها الترانزستور ويشار إليه باسم VBE.
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
