|
|
| الاسم التجاري: | Upperbond |
| رقم الطراز: | صانع |
| الـ MOQ: | 2 قطعة |
| السعر: | قابل للتفاوض |
| وقت التسليم: | 5-8 أيام |
| شروط الدفع: | T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام ، باي بال |
الجزء الكهربائي من قطع غيار ماكينات التبغ نانو Irfz44ns
الترانزستور هو جهاز شبه موصل يستخدم لتضخيم أو تبديل الإشارات الإلكترونية والطاقة الكهربائية.الترانزستورات هي إحدى اللبنات الأساسية للإلكترونيات الحديثة.وهي تتألف من مادة شبه موصلة عادة مع ثلاثة أطراف على الأقل لتوصيلها بدائرة خارجية.
الإنتاج بكثافة الإنتاج بكميات ضخمة
في الخمسينيات من القرن الماضي ، قام المهندس المصري محمد عطاالله بالتحقيق في الخصائص السطحية لأشباه موصلات السيليكون في مختبرات بيل ، حيث اقترح طريقة جديدة لتصنيع أجهزة أشباه الموصلات ، وذلك بطلاء رقاقة سيليكون بطبقة عازلة من أكسيد السيليكون بحيث يمكن للكهرباء أن تخترق الموصل بشكل موثوق. السيليكون أدناه ، للتغلب على الحالات السطحية التي منعت الكهرباء من الوصول إلى الطبقة شبه الموصلة.يُعرف هذا باسم التخميل السطحي ، وهي طريقة أصبحت بالغة الأهمية لصناعة أشباه الموصلات لأنها أتاحت لاحقًا الإنتاج الضخم لدوائر السيليكون المتكاملة.
الترانزستورات تقاطع القطبين
اخترع ويليام شوكلي من مختبرات بيل أول ترانزستورات تقاطع ثنائي القطب ، والتي تقدمت بطلب للحصول على براءة اختراع (2569347) في 26 يونيو 1948. في 12 أبريل 1950 ، نجح الكيميائيون في مختبرات بيل جوردون تيل ومورجان سباركس في إنتاج تقاطع ثنائي القطب يعمل بتضخيم NPN. الترانزستور الجرمانيوم.
مادة
تصنع معظم الترانزستورات من السيليكون النقي جدًا ، وبعضها من الجرمانيوم ، ولكن يتم استخدام بعض مواد أشباه الموصلات الأخرى أحيانًا.قد يحتوي الترانزستور على نوع واحد فقط من حامل الشحنة ، في ترانزستور تأثير المجال ، أو قد يحتوي على نوعين من ناقلات الشحن في أجهزة الترانزستور ثنائية القطب.
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
|
| الاسم التجاري: | Upperbond |
| رقم الطراز: | صانع |
| الـ MOQ: | 2 قطعة |
| السعر: | قابل للتفاوض |
| تفاصيل التعبئة: | كرتون |
| شروط الدفع: | T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام ، باي بال |
الجزء الكهربائي من قطع غيار ماكينات التبغ نانو Irfz44ns
الترانزستور هو جهاز شبه موصل يستخدم لتضخيم أو تبديل الإشارات الإلكترونية والطاقة الكهربائية.الترانزستورات هي إحدى اللبنات الأساسية للإلكترونيات الحديثة.وهي تتألف من مادة شبه موصلة عادة مع ثلاثة أطراف على الأقل لتوصيلها بدائرة خارجية.
الإنتاج بكثافة الإنتاج بكميات ضخمة
في الخمسينيات من القرن الماضي ، قام المهندس المصري محمد عطاالله بالتحقيق في الخصائص السطحية لأشباه موصلات السيليكون في مختبرات بيل ، حيث اقترح طريقة جديدة لتصنيع أجهزة أشباه الموصلات ، وذلك بطلاء رقاقة سيليكون بطبقة عازلة من أكسيد السيليكون بحيث يمكن للكهرباء أن تخترق الموصل بشكل موثوق. السيليكون أدناه ، للتغلب على الحالات السطحية التي منعت الكهرباء من الوصول إلى الطبقة شبه الموصلة.يُعرف هذا باسم التخميل السطحي ، وهي طريقة أصبحت بالغة الأهمية لصناعة أشباه الموصلات لأنها أتاحت لاحقًا الإنتاج الضخم لدوائر السيليكون المتكاملة.
الترانزستورات تقاطع القطبين
اخترع ويليام شوكلي من مختبرات بيل أول ترانزستورات تقاطع ثنائي القطب ، والتي تقدمت بطلب للحصول على براءة اختراع (2569347) في 26 يونيو 1948. في 12 أبريل 1950 ، نجح الكيميائيون في مختبرات بيل جوردون تيل ومورجان سباركس في إنتاج تقاطع ثنائي القطب يعمل بتضخيم NPN. الترانزستور الجرمانيوم.
مادة
تصنع معظم الترانزستورات من السيليكون النقي جدًا ، وبعضها من الجرمانيوم ، ولكن يتم استخدام بعض مواد أشباه الموصلات الأخرى أحيانًا.قد يحتوي الترانزستور على نوع واحد فقط من حامل الشحنة ، في ترانزستور تأثير المجال ، أو قد يحتوي على نوعين من ناقلات الشحن في أجهزة الترانزستور ثنائية القطب.
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
فيديو
